Wentx编辑2016-1-523：31
答案|报告| 4parachutes30parachutes30脱机LV6高级工程师点数：766 |主题：45 |出版物：127发送新闻要点的访问空间：766LV6高级工程师2016-1-621：39:56 6 MOS数据表的倒计时为什么没有这个Rg？它只是MOS的一小部分吗？
答案|报告| 5 Eric
温特里克
Wentx脱机版本的主要点LV7：45656 |主题：485 |消息：16979用于发送消息点的访问空间：45656版本的主要2016-1-709：31:55倒数5到电缆阻抗等可能相似，实际上，许多MOSFET规格都没有徽标。
答案|报告| 6大麻Sasa脱机LV7版本要点：9638 |主题：59 |出版物：3460发送消息要点的访问空间：9638主要版本2016-1-710：04：18倒数4通用大功率MOS此Rg，尤其是低压和大电流同步整流MOS的标记。
个人猜测：在低功率应用中，通常不强调MOS晶体管的开/关特性。从控制器到门的单元电阻相对较大（通常为10Ω或更大），并且MOS中的Rg通常为1-3Ω，可以忽略不计。
但是，在大功率应用中，由于着重于MOS晶体管的导通/截止特性，因此从控制器到门的单元电阻非常低。
如果2Ω或未连接，则此时无法忽略MOS内部Rg效应。
答案|报告| 7yueding123yueding123脱机LV8副总工程师得分：2601 |主题：9 |出版物：679访问空间消息发送点：2601LV8副总工程师2016-1-711：37:02 3课倒计时？
答案|报告| 8lahowardlahoward脱机LV10总工程师点：19633 |主题：91 |出版物：5582访问空间消息发送点：19933 LV10总工程师2016-1-712：02：48倒数2是合理的。
答案|报告| 9th Power Network-Kyuten世纪Power Network-Kyuten离线LV8超级版主点：15899 |主题：547 |出版物：3673空间发送访问消息点：15899超级主持人最终回应2016-1-1511：17:36 Countdown 1访问网站并搜索新的21Datasheet搜索。
具体位置如下。
